Modele petit signal transistor bipolaire

Les transistors bipolaires peuvent être combinés avec des MOSFET dans un circuit intégré en utilisant un processus BiCMOS de fabrication de plaquettes pour créer des circuits qui tirent parti des forces d`application des deux types de transistor. Un transistor à jonction bipolaire (transistor bipolaire ou BJT) est un type de transistor qui utilise à la fois des supports d`électrons et de charges de trous. En revanche, les transistors unipolaires, tels que les transistors à effet de champ, n`utilisent qu`un seul type de porteuse de charge. Pour leur fonctionnement, les BJTs utilisent deux jonctions entre deux types de semi-conducteurs, n-type et p-type. Comme illustré, les paramètres h ont des indices inférieurs et signifient donc des conditions AC ou des analyses. Pour les conditions de DC, ils sont spécifiés en majuscules. Pour la topologie CE, un modèle h-Parameter approximatif est couramment utilisé, ce qui simplifie encore l`analyse des circuits. Pour cela les paramètres de houe et de EDH sont négligés (c`est-à-dire qu`ils sont mis à l`infini et zéro, respectivement). Le modèle de paramètre h tel qu`illustré est adapté à une analyse à faible fréquence et à petit signal.

Pour les analyses haute fréquence, il faut ajouter les capacités inter-électrodes importantes aux hautes fréquences. TO-247 est un grand paquet de contour de transistor (TO) à travers le trou. TO-247 fournit une excellente dissipation de puissance et est idéal pour les transistors à effet de champ à semi-conducteurs à oxyde de métal (MOSFET), les transistors bipolaires à haute puissance et les transistors bipolaires à barrière isolée (IGBTs). TO-251 et TO-252 sont des paquets de faible à moyenne puissance qui disposent d`un contour de transistor (TO). TO-251 utilise la technologie de trou traversant (THT). TO-252 utilise la technologie de montage en surface (SMT). Les deux paquets fournissent plusieurs choix de trame de plomb et sont couramment utilisés dans les appareils ménagers, les ordinateurs personnels, l`éclairage, et les systèmes automobiles. Les transistors sont des dispositifs électroniques faits de matériaux semi-conducteurs qui amplifient un signal ou ouvrent ou ferment un circuit. La base est physiquement située entre l`émetteur et le collecteur et est fabriquée à partir de matière légèrement dopée et de haute résistivité.

Le collecteur entoure la région émettrice, rendant presque impossible pour les électrons injectés dans la région de base pour s`échapper sans être collectés, rendant ainsi la valeur résultante de α très proche de l`unité, et ainsi, donnant au transistor un grand β. Une vue en coupe transversale d`un BJT indique que la jonction collecteur – base a une surface beaucoup plus grande que la jonction émetteur – base. SOT82 est un paquet de transistor de petit contour (SOT) rectangulaire, monté en surface, avec trois fils. SOT82 est plus grand que DPAK et plus petit que TO-220, mais toujours comparable à TO-220 en performance. Les cadres de plomb SOT82 sont disponibles en nickel complet ou en placage d`argent sélectif et permettent la liaison de fil avec du fil d`or ou d`aluminium. Souvent, SOT82 est utilisé dans les dispositifs de protection de surtension dans les équipements de télécommunication. SOT82 est également utilisé pour emballer des redresseurs à haute puissance, des convertisseurs DC à AC (DACs) et des convertisseurs de fréquence. SOT223 est un paquet de transistor de petit contour (SOT) en plastique, monté en surface, avec quatre fils et un dissipateur de chaleur. Pendant la soudure, les fils formés absorbent le stress thermique et éliminent la possibilité d`endommager le dé. Le matériau d`encapsulation améliore la fiabilité de l`appareil, ce qui permet à SOT223 de fournir d`excellentes performances dans des environnements à hautes températures et niveaux d`humidité. SOT223 fournit la dissipation de puissance de 1W à environ 1.5 W. Les transistors bipolaires ont quatre régions distinctes d`opération, définies par des biais de jonction BJT.

Ce modèle montre l`utilisation d`un modèle de transistor à petit signal équivalent pour évaluer les performances d`un amplificateur à émetteur commun. La résistance de 47K est la résistance de polarisation nécessaire pour régler le point de fonctionnement nominal, et la résistance de 470 Ohm est la résistance de charge. Le transistor est représenté par un circuit équivalent de paramètre hybride avec des paramètres de circuit h_ie (résistance au circuit de base), h_oe (entrée de sortie), h_fe (gain de courant avant) et h_re (rapport de transfert de tension inversée).